Internal Wafer Inspection System INSPECTRA® IR Series

INSPECTRA® 7000 IR 300

Erkennt Defekte in Wafern mittels Infrarotlicht und sichtbarem Licht

Die INSPECTRA®-Serie wurde um ein Infrarot-Inspektionssystem für interne Defekte erweitert. Es ist jetzt möglich, in einem System sowohl mit Infrarot- als auch mit visuellem Licht zu prüfen.

Eigenschaften 

  • Verwendet eine hochempfindliche Kamera und ein neu entwickeltes optisches System, das sowohl Infrarotlicht als auch sichtbares Licht unterstützt, um interne Defekte in Wafern schnell zu erkennen
  • Verwendet einen  erprobten und bewährten Lernalgorithmus höchster Qualität, um kleinste Fehler mit einem hohen Empfindlichkeitsgrad zu erkennen
  • Die Inspektion kann sowohl mit Infrarotlicht als auch mit sichtbarem Licht durchgeführt werden (umschaltbar).

Anwendungsbeispiele 

  • Fehlerinspektion an MEMS-Wafern mit durch Silizium verdeckten Strukturen
  • Interne Fehlerprüfung im CMOS-Bildsensor
  • Hohlrauminspektion in gebondeten Wafern
  • Fehlerprüfung in Gräben mit hohem Seitenverhältnis (Aspect Ratio)
  • Rissprüfung der Rückseite von Wafern mit hoher Strukturdichte
  • Pixelfeine Auflösung

Spezifikationen (IR)

Pixel Auflösung 1µm –
Inspektionszeit 14 Minuten (8 Zoll Wafer, 10x schneller)
Unterstützte Wafergrößen 12 Zoll / 8 Zoll sowie 8 – 2 Zoll

Photo Luminescense Defect Inspection System INSPECTRA® PL Series

INSPECTRA® PL series

Die Fotolumineszenz (PL) wird verwendet, um automatisch nach Kristallfehlern, Rissen und Lumineszenzfehlern zu suchen, die bei der Prüfung der Oberfläche mit sichtbarem Licht nicht erkannt werden können

Dieses System verwendet Lumineszenzbilder, die unter Verwendung von Photolumineszenz (PL) erstellt wurden, um eine automatische Inspektion mit hoher Geschwindigkeit und Empfindlichkeit auf Kristalldefekte, Risse und Lumineszenzdefekte durchzuführen, die mit herkömmlicher Oberflächeninspektion bei sichtbarem Licht nicht erkannt werden können!

Eigenschaften:

  • Das einzigartige optische System und der Prüfalgorithmus werden zur schnellen Erkennung und Kategorisierung von Kristalldefekten mit hoher Empfindlichkeit verwendet.
  • Kann als optionales Peripheriegerät in ein Wafer-Inspektionssystem eingebaut werden, um nicht nur eine Kristalldefektinspektion während EPI-Prozessen durchzuführen, sondern auch eine integrierte Prototypen- und Massenproduktionsinspektion durchzuführen, die alles bis hin zur Oberflächeninspektion der Strukturierung abdeckt.
  • Inspektion von sichtbarem Licht und PL-Inspektion können kombiniert werden, um durch die Identifizierung von Killerdefekten zu einer höheren Ausbeute beizutragen.

Specifications (PL for GaN, SiC)

Pixel Auflösung 0.65 µm –
Inspektionszeit 15 Minuten (4 Zoll Wafer, 5x schneller)
Unterstützte Wafergrößen 8 – 2 Zoll

INSPECTRA® PL series (µLed)

Häufige Strukturfehler oder Defekte und PL-charakteristische Defekte können mit unserer PL-Serie erkannt werden. Unser PL-Inspektionstool überzeugt durch höhere Effizienz verglichen mit einem herkömmlichen elektrischen Waferstest.

Eigenschaften:

  •  Das System erkennt  “Multiple Quantum Well” Defekte und Risse.
  • Das System verfügt über eine hochwertige optische Einheit und einen einzigartigen Algorithmus
  • Es ermöglicht, LED-Effizienz anstelle des elektrischen Prober-Tests zu überprüfen

Spezfikationen (PL für Micro/Mini LED)

Inspektionsproben LED wafer, LED chip
Pixel Auflösung 0.325 µm –
Inspektionszeit 10 Minuten (4 Zoll Wafer, 10x schneller)
Unterstütze Wafergrößen 8 – 2 Zoll
Inspektionsfunktionen PL und AOI